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描述:
AM3F-0505SH30  E12-23-F-A-T-B-A-1  AM3F-0507SH52  CR036193F003  CR066193F002  CR056193F004  CR026193F003  CR056193F001  AM3F-0503SH52  CR206193F003  
HV-T75  (5mA 16kV 80nS-HIGH VOLTAGE DIODES)
.型號:   HV-T75
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描述:
5mA 16kV 80nS-HIGH VOLTAGE DIODES
文件大小 :   353 K    
頁數 : 2 頁
Logo:   
品牌   HVGT [ GETAI ELECTRONIC DEVICE CO.,LTD ]
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100%
HV-T75
HV10G14
5mA 16kV 80nS-HIGH VOLTAGE DIODE
High reliability resin molded type high voltage diode
in small size package which is sealed a multilayed
臺面型硅芯片通過環氧樹脂。
外形圖:
特點
高速開關
Epoxy resin molded in vacuum,
Have anticorrosion in the surface
高浪涌電阻率的CRT放電
高可靠性設計
雪崩特性
應用
X光電源
激光
倍壓電路
微波發射功率
General purpose high voltage rectifier,
Voltage multiplier assembly.
DO-212 Series
Lead Diameter 0.6mm
2.5mm
26mm
12mm
最大額定值和特性
絕對最大額定值
重復峰值電壓Renerse
平均輸出電流
Suege電流
結溫
允許工作溫度案例
儲存溫度
符號
V
RRM
I
O
I
FSM
T
j
Tc
T
英鎊
Ta=25°C,
TA = 25 ℃時,電阻性負載
Ta=25°C,8.3 ms
條件
T7
5
HV-T75
16
5.0
0.5
125
125
-40到+125
單位
kV
mA
A
PEAK
°C
°C
°C
電氣特性(Ta = 25 ° C除非另有說明)
最大正向電壓降
最大反向電流
符號
V
F
IR
1
IR
2
最大反向恢復時間
結電容
GETE ELECTRONIC CO.,LTD
GUANGZHOU * CHINA
條件
在25℃下,我
F
=I
F( AV )
在25℃ ,V
R
=V
RRM
在100℃下,V
R
=V
RRM
at 25°C; I
F
=2mA;
I
R
=4mA;
I
rr
=1mA;
HV-T75
60
2.0
5.0
80
1.0
單位
V
uA
uA
nS
pF
TRR
Cj
at 25°C; V
R
=0V,f=1MHz
E-mail: [email protected]
4001 83 84 85
China Tel:
n
n
Tel: 0086-20-8184 9628
Fax: 0086-20-8184 9638
n
www.getedz.com
www.hvgtsemi.com
01
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